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型号
SI2323CDS-T1-GE3
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制造商
Vishay Siliconix
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描述
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
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制造商
Vishay Siliconix
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系列
TrenchFET®
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包装
Tape & Reel (TR)
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产品状态
Active
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FET 类型
P-Channel
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技术
MOSFET (Metal Oxide)
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漏源电压(Vdss)
20 V
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V, 4.5V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
39mOhm @ 4.6A, 4.5V
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不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
25 nC @ 4.5 V
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Vgs(最大值)
±8V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1090 pF @ 10 V
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FET 功能
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功率耗散(最大值)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
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工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
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安装类型
Surface Mount
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供应商器件封装
SOT-23-3 (TO-236)
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封装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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基本产品编号
SI2323